Methodology for thermal-mechanical modeling of damage and failure processes in through-silicon-vias
The reported failure of the Cu-filled via adjacent to the SiO2 liner of a TSV interconnect under thermal-mechanical stressing calls for a thorough quantitative investigation. In this respect, this paper presents a FE-based methodology to quantify the mechanics of deformation and failure processes of...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | Conference or Workshop Item |
| منشور في: |
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/81882/ http://dx.doi.org/10.1109/IMPACT.2017.8255912 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|