Ballistic quantum transport in a nanoscale metal-oxide-semiconductor field effect transistor
The ballistic saturation velocity in a nanoscale metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) is revealed to be limited to the Fermi velocity in a degenerately induced channel appropriate for the quasi-two-dimensional nature of the inverted channel. The saturation point drain velocity...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
American Institute of Physics
2007
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/7500/ http://dx.doi.org/10.1063/1.2780058 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|