Electrical and microstructures properties of polygate electrode in 0.5 μm CMOS devices
The effect of phosphorus, doped by in-situ and by ion implantation on poly silicon, as a gate electrode of 0.5 μm CMOS was investigated. The result shows that a two-step annealing is required to cure the radiation damage and activate the dopant in reducing the sheet resistance of the ion implanted g...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | |
| منشور في: |
2017
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.uniten.edu.my:8080/jspui/handle/123456789/5337 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|