Modeling and simulation of InAs photodiode on electric field profile and dark current characteristics

This work reports the dark current density-voltage (J-V) characteristics and electric field profile of InAs photodiode with 100μm × 1μm cross sectional area at a temperature of 300K. The device structure was simulated using 2D SILVACO software and the model was used to determine all the optimum mate...

وصف كامل

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Roslan, P.S.A., Ker, P.J., Ahmad, I., Pasupuleti, J., Fam, P.Z.
التنسيق:	وقائع المؤتمر
اللغة:	en_US
منشور في:	2017
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Modeling and simulation of InAs photodiode on electric field profile and dark current characteristics
بواسطة: Roslan P.S.A., وآخرون
منشور في: (2023)

Temperature dependence of leakage current in InAs avalanche photodiodes
بواسطة: Ker, P.J., وآخرون
منشور في: (2017)

Temperature dependence of gain and excess noise in InAs electron avalanche photodiodes
بواسطة: Ker, P.J., وآخرون
منشور في: (2017)

InAs electron-avalanche photodiodes: From leaky diodes to extremely low noise avalanche photodiodes
بواسطة: Ker, P.J., وآخرون
منشور في: (2017)

Surface passivation of InAs avalanche photodiodes for low-noise infrared imaging
بواسطة: Ker, P.J., وآخرون
منشور في: (2017)

Avalanche multiplication and excess noise in InAs electron avalanche photodiodes at 77 K
بواسطة: Marshall, A.R.J., وآخرون
منشور في: (2017)

Low noise high responsivity InAs electron avalanche photodiodes for infrared sensing
بواسطة: Ker, P.J., وآخرون
منشور في: (2017)

InAs electron avalanche photodiodes with 580 GHz gain-bandwidth product
بواسطة: Ker, P.J., وآخرون
منشور في: (2017)

Surface passivation of InAs avalanche photodiodes for low-noise infrared imaging
بواسطة: Ker P.J., وآخرون
منشور في: (2023)

High speed low noise InAs electron avalanche photodiodes for telecommunication and infrared sensing applications
بواسطة: Ker, P.J., وآخرون
منشور في: (2017)

High speed InAs electron avalanche photodiodes overcome the conventional gain-bandwidth product limit
بواسطة: Marshall, A.R.J., وآخرون
منشور في: (2017)

Temperature dependence of impact ionization in InAs
بواسطة: Sandall, I.C., وآخرون
منشور في: (2017)

Equal proportion of donor/acceptor active layer for reduced dark current in visible organic photodiode
بواسطة: Roslan, Suraya Annissa, وآخرون
منشور في: (2024)

Equal proportion of donor/acceptor active layer for reduced dark current in visible organic photodiode
بواسطة: Roslan, Suraya Annissa, وآخرون
منشور في: (2024)

Erratum: Temperature dependence of impact ionization in InAs (Optics Express (2013) 21 (8630-8637))
بواسطة: Sandall, I.C., وآخرون
منشور في: (2017)

Dark Current mechanisms in quantum dot laser structures
بواسطة: Hasbullah, Nurul Fadzlin, وآخرون
منشور في: (2011)

Effect of multiplication and absorption layers width on avalanche multiplication gain in InGaAs/InP avalanche photodiode
بواسطة: Khamis M.A., وآخرون
منشور في: (2023)

Correlation between defect density and current leakage in InAs∕GaAs quantum dot-in-well structures
بواسطة: Sanchez, A. M., وآخرون
منشور في: (2009)

Current and conductance modulation at elevated temperature in silicon and InAs-based spin field-effect transistors
بواسطة: Dmitri Osintsev,, وآخرون
منشور في: (2013)

DC Environment for a Refrigerator with Variable Speed Compressor; Power Consumption Profile and Performance Comparison
بواسطة: Sabry A.H., وآخرون
منشور في: (2023)

Performance characterization of schottky tunneling graphene field effect transistor at 60 nm gate length
بواسطة: Abidin, N.F.Z., وآخرون
منشور في: (2017)

Testing and calibration of an ultraviolet-a radiation sensor based on GaN photodiode
بواسطة: Theyirakumar .J,, وآخرون
منشور في: (2011)

High performance silicon lateral PIN photodiode
بواسطة: Tasirin, S.K., وآخرون
منشور في: (2017)

High performance silicon lateral PIN photodiode
بواسطة: Tasirin S.K., وآخرون
منشور في: (2023)

Analysis of resonance enhancement in defect-mediated silicon micro-ring photodiodes operating at 1550 nm
بواسطة: Logan, D.F., وآخرون
منشور في: (2010)

Development of silicon planar P-I-N photodiode
بواسطة: N V Visvanathan, P Susthitha Menon, وآخرون
منشور في: (2004)

Optimization of process parameters for Si lateral PIN photodiode
بواسطة: Menon, P.S., وآخرون
منشور في: (2017)

Optimization of process parameters for Si lateral PIN photodiode
بواسطة: Menon P.S., وآخرون
منشور في: (2023)

Modeling of 14 nm gate length n-Type MOSFET
بواسطة: Faizah, Z.A.N., وآخرون
منشور في: (2017)

Modeling of 14 nm gate length n-Type MOSFET
بواسطة: Faizah Z.A.N., وآخرون
منشور في: (2023)

Investigation of Current Leakage Mechanisms on InAs Nanoisland Diodes for Radiation Hardness
بواسطة: Hasbullah, Nurul Fadzlin, وآخرون
منشور في: (2014)

Robust optimization of a silicon lateral pin photodiode
بواسطة: Kalthom Tasirin, S., وآخرون
منشور في: (2017)

Robust optimization of a silicon lateral pin photodiode
بواسطة: Kalthom Tasirin S., وآخرون
منشور في: (2023)

Performance characterization of schottky tunneling graphene field effect transistor at 60 nm gate length
بواسطة: Abidin N.F.Z., وآخرون
منشور في: (2023)

Effects of high neutron fluence on the electrical characteristics of InAs quantum dot structures
بواسطة: Ahmad Fauzi, Dhiyauddin, وآخرون
منشور في: (2013)

Effects of downscaling channel dimensions on electrical characteristics of InAs-FinFET transistor
بواسطة: Mahmood, Ahmed, وآخرون
منشور في: (2019)

Dark soliton array for communication security
بواسطة: Amiri, I. S., وآخرون
منشور في: (2011)

Optical dark and bright soliton generation and amplification
بواسطة: Afroozeh, A., وآخرون
منشور في: (2011)

A comparative study of the electrical characteristics of metal-semiconductor-metal (MSM) photodiodes based on gan grown on silicon.
بواسطة: Y, C.Lee, وآخرون
منشور في: (2000)

Dicarbocyanine dye-based organic photodiodes
بواسطة: Md Sabri, Amirul Ashraf, وآخرون
منشور في: (2022)