InAs electron-avalanche photodiodes: From leaky diodes to extremely low noise avalanche photodiodes
Avalanche gain and excess noise characteristics of InAs APDs showed that high gain can be achieved with excess noise factor F∼1.5 across temperatures ranging from 77 to 298K. © 2011 IEEE.
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | وقائع المؤتمر |
| اللغة: | en_US |
| منشور في: |
2017
|
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|