Statistical Optimization Influence on High Permittivity Gate Spacer in 16nm DG-FinFET Device

In this paper, the effect of high permittivity gate spacer on short channel effects (SCEs) for the 16 nm double-gate finFET is investigated, with the output responses optimized using L9 orthogonal array (OA) Taguchi method. The determination is done through Signal-to-noise ratio to the effectiveness...

وصف كامل

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Roslan A.F., Salehuddin F., Zain A.S.M., Kaharudin K.E., Mohamad N.R., Maheran A.H.A., Haroon H., Razak H.A., Idris S.K., Ahmad I.
مؤلفون آخرون:	57203514087
التنسيق:	مقال
منشور في:	UiTM Press 2023
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

Statistical optimization influence on high permittivity gate spacer in 16nm DG-FinFET device / Ameer F. Rosla … [et al.]
بواسطة: Rosla, Ameer F., وآخرون
منشور في: (2022)

Statistical optimization influence on high permittivity gate spacer in 16nm DG-FinFET device
بواسطة: Salehuddin, Fauziyah, وآخرون
منشور في: (2022)

Optimization of 16 nm DG-FinFET using L25 orthogonal array of Taguchi statistical method
بواسطة: Roslan A.F., وآخرون
منشور في: (2023)

Comparison of L25 GRA and L25 taguchi statistical method for optimizing 16 NM DG-FinFET on output variation
بواسطة: Roslan A.F., وآخرون
منشور في: (2023)

Optimization of process parameter variations for 16nm DG-FinFET using Response Surface Methodology-Central Composite Design
بواسطة: Roslan A.F., وآخرون
منشور في: (2023)

Performance analysis of an efficient montgomery multiplier using 7nm FinFET and junctionless FinFET
بواسطة: Mathangi, R., وآخرون
منشور في: (2021)

Comparative High-K Material Gate Spacer Impact In DG-FinFET Parameter Variations Between Two Structures
بواسطة: Roslan, Ameer Farhan, وآخرون
منشور في: (2019)

Comparative high-K material gate spacer impact in DG-finfet parameter variations between two structures
بواسطة: Roslan, A.F., وآخرون
منشور في: (2020)

Comparative high-K material gate spacer impact in DG-finfet parameter variations between two structures
بواسطة: Roslan A.F., وآخرون
منشور في: (2023)

Investigation of a 3 nm Strained Fin Field-Effect Transistor (FinFET)
بواسطة: Tan, Pei Xin
منشور في: (2023)

Performance analysis of 22NM FinFET-based 8T SRAM cell
بواسطة: Hasan Baseri, Nur Hasnifa
منشور في: (2018)

Performance evaluation of SRAM-PUF based on 7-nm, 10-nm and 14-nm FinFET technology nodes
بواسطة: Mohd Syafiq, Mispan, وآخرون
منشور في: (2022)

Performance Evaluation of SRAM-PUF based on 7-nm, 10-nm and 14-nm FinFET Technology Nodes
بواسطة: Mispan, Mohd Syafiq, وآخرون
منشور في: (2021)

Temperature characteristics of FinFET based on channel fin width and working voltage
بواسطة: Atalla, Yousif, وآخرون
منشور في: (2020)

Optimal Nano-Dimensional Channel of GaAs-FinFET Transistor
بواسطة: Mahmood, Ahmed, وآخرون
منشور في: (2018)

The impact of channel fin width on electrical characteristics of Si-FinFET
بواسطة: Atalla, Yousif, وآخرون
منشور في: (2022)

The impact of channel fin width on electrical characteristics of Si-FinFET
بواسطة: Atalla, Y., وآخرون
منشور في: (2022)

Reliability analysis of junctionless fin field effect transistor (JL-FinFET)
بواسطة: Hamzah, Muhammad Naziiruddin
منشور في: (2022)

Design and analysis of electrical characteristics of 14nm SOI-based trigate gaussian channel junctionless FinFET
بواسطة: Ramakrishnan, Mathangi, وآخرون
منشور في: (2023)

Temperature sensitivity based on channel length of FinFET transistor
بواسطة: Atalla, Yousif, وآخرون
منشور في: (2018)

Optimal nano dimensional channel of GaAs-FinFET transistor
بواسطة: Ahmed, Mahmood, وآخرون
منشور في: (2018)

Temperature Effect on ON/OFF Current Ratio of FinFET Transistor
بواسطة: Hashim, Yasir
منشور في: (2017)

Effects of downscaling channel dimensions on electrical characteristics of InAs-FinFET transistor
بواسطة: Mahmood, Ahmed, وآخرون
منشور في: (2019)

Electrical characterization of Ge-FinFET transistor based on nanoscale channel dimensions
بواسطة: Mahmood, Ahmed, وآخرون
منشور في: (2019)

A temperature characterization of (Si-FinFET) based on channel oxide thickness
بواسطة: Atalla, Yousif, وآخرون
منشور في: (2019)

Performance evaluation of 14nm FinFET-based 6T SRAM cell functionality for DC and transient circuit analysis
بواسطة: Lim, Wei, وآخرون
منشور في: (2014)

Performance analysis of 14nm SOI-based Trigate Gaussian Channel Junctionless FinFET with punchthrough stop layer
بواسطة: Ramakrishnan, Mathangi, وآخرون
منشور في: (2023)

Optimal channel dimensions and temperature characteristics of SI-FinFET transistor
بواسطة: Yousif, Yousif Atalla
منشور في: (2019)

Effect of high-k FinFET performance / Fatin Syamila Mohammad
بواسطة: Mohammad, Fatin Syamila
منشور في: (2013)

Electrical Сharacterization of Ge-FinFET Transistor Based on Nanoscale Channel Dimensions
بواسطة: Mahmood, Ahmed, وآخرون
منشور في: (2019)

Design and performance analysis of 1-Bit FinFET full adder cells for subthreshold region at 16 nm process technology
بواسطة: Abdul Tahrim, Aqilah, وآخرون
منشور في: (2015)

Performance evaluation of 14 nm FinFET-Based 6T static random access memory cell functionality for DC and transient analysis
بواسطة: Wong, Kien Liong, وآخرون
منشور في: (2018)

Statistical variability in n-channel SOI FinFET in the presence of random discrete dopant
بواسطة: Alias, N. E., وآخرون
منشور في: (2016)

Study of time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in 15MM junctionless FinFET
بواسطة: Chng, Sze Lyn
منشور في: (2022)

Design of optimal nanoscale channel dimensions of FinFET based on constituent semiconductor materials
بواسطة: Ali, Ahmed Mahmood
منشور في: (2019)

Investigation of FinFET as a Temperature Nano-Sensor Based on Channel Semiconductor Type
بواسطة: Hashim, Yasir
منشور في: (2017)

Impact of interface traps and parasitic capacitance on gate capacitance of In0.53Ga0.47As-FinFET for sub 14nm technology node
بواسطة: Pathak, Jay, وآخرون
منشور في: (2019)

Enhancing SRAM performance of common gate FinFET by using controllable independent double gate
بواسطة: Chong, Chung Keong
منشور في: (2015)

A comparative study of lifetime reliability of planar MOSFET and FinFET due to BTI for the 16 nm CMOS technology node based on reaction-diffusion model
بواسطة: Mahmoud, Mohamed Mounir, وآخرون
منشور في: (2019)

Optimization of process parameter variation in double-gate FinFET model using various statistical methods
بواسطة: Roslan, Ameer Farhan
منشور في: (2022)