Modeling and simulation of graphene-oxide-based RRAM
We propose a conduction model for resistive random-access memory (RRAM) based on graphene oxide (GO). We associate the electron transport mechanism with a multiphonon trap-assisted tunneling (MTAT) model. Pristine GO is electrically insulating due to the presence of sp3-hybridized oxygen functional...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
Springer New York LLC
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/72457/ https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84961217338&doi=10.1007%2fs10825-016-0813-6&partnerID=40&md5=88654057b4e6a2e75aca544936a9e6e9 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|