Experimental and modelling study of InGaBiAs/InP alloys with up to 5.8% Bi, and with ∆(so) > E-g

Temperature dependent photo-modulated reflectance is used to measure the band gap Eg and spin-orbit splitting energy ∆so in dilute-Bi In0.53Ga0.47As1-xBix/InP for 1.2% = x = 5.8%. At room temperature, Eg decreases with increasing Bi from 0.65 to 0.47 eV (~2.6 µm), while ∆so increases from 0.42 to 0....

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Chai, Grace M. T., Broderick, Christopher A., O'Reilly, Eoin P. O., Othaman, Zulkafli, Jin, Shirong, Petropoulos, J. P., Zhong, Yujun, Dongmo, Pernell B., Zide, Joshua M. O., Sweeney, Stephen J., Hosea, Thomas Jeff Cockburn
التنسيق: مقال
منشور في: Institute of Physics Publishing (IOP) 2015
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.utm.my/id/eprint/55151/
http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/30/9/094015
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!