Process and Characterization of Strained Silicon MOSFET Incorporating Dielectric Pocket (SDP-MOSFET)
In this paper, we propose a fabrication process of Strained Silicon MOSFET incorporating Dielectric Pocket (SDP-MOSFET). By employing TCAD tools, a systematic process simulation in realizing the SDP-MOSFET structure is done successfully. By using vertical and horizontal doping profiles, 120 nm...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Conference or Workshop Item |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2011
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utem.edu.my/id/eprint/8535/1/012._1569455953.pdf http://eprints.utem.edu.my/id/eprint/8535/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!