Fabrication of Lateral Polysilicon Gap of Less than 50nm Using Conventional Lithography
We report a thermal oxidation process for the fabrication of nanogaps of less than 50 nmin dimension.Nanogaps of this dimension are necessary to eliminate contributions from double-layer capacitance in the dielectric detection of protein or nucleic acid. The method combines conventional photolitho...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Hindawi Publishing Corporation
2011
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/39098/1/Fabrication_of_Lateral_Polysilicon_Gap_of_Less_than_50%E2%80%89nm_Using_Conventional_Lithography.pdf http://eprints.usm.my/39098/ https://doi.org/10.1155/2011/250350 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|