Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers
Saved in:
Main Author: | Abdul Hamid, Noorhisyam |
---|---|
Format: | Thesis |
Language: | English |
Published: |
2005
|
Subjects: | |
Online Access: | http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf http://eprints.usm.my/29184/ |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
-
Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
by: Abdul Hamid, Noorhisyam
Published: (2005) -
Kesan Peningkatan Suhu Terhadap Pembentukan Titanium Silisida
by: Balakrishnan, Prakash Babu
Published: (2005) -
Kesan suhu rendaman dan suhu sepuh lindap dalam penyediaan filem nipis bismut sulfida (bi2s3) terhadap prestasi sel suria organik jenis songsang berasaskan P3HT: PCBM
by: Nurul Nadhirah Md Ridzuan,, et al.
Published: (2022) -
Kesan suhu sepuh lindap ke atas mikrostruktur, morfologi permukaan dan komposisi filem nipis Ba0.5Sr0.5tio3 yang disediakan dengan kaedah sol gel
by: Rahmi Dewi,, et al.
Published: (2008) -
Pencirian Ruang Jalur Fotonik Nanorod Silikon
by: Mohammad Syuhaimi, Ab-Rahman, et al.
Published: (2010)