Simulasi pergerakan ion hidrogen dalam silikon

Disertasi ini membincangkan tentang pergerakan ion Hidrogen dalam Silikon pada sudut tuju, bilangan ion serta tenaga yang berbeza. Jumlah tenaga yang dipelbagaikan adalah pada lOkeV, lO0keV, lO00keV yang masing-masing mempunyai sudut tuju 0°, 30° dan 60° dengan jumlah ion 100, 1000 dan 1000 setiap s...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Rashidah Nural Anuar
Format: Academic Exercise
Language:English
English
Published: 2008
Subjects:
Online Access:https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/37444/1/24%20PAGES.pdf
https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/37444/2/FULLTEXT.pdf
https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/37444/
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!