Cover Image

Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza

Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Abdul Hamid, Noorhisyam
Format: Thesis
Language:English
Published: 2005
Subjects:
Q Science (General)
Online Access:http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf
http://eprints.usm.my/29184/
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id my.usm.eprints.29184
record_format eprints
spelling my.usm.eprints.29184 http://eprints.usm.my/29184/ Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza Abdul Hamid, Noorhisyam Q Science (General) Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers 2005-02 Thesis NonPeerReviewed application/pdf en http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf Abdul Hamid, Noorhisyam (2005) Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza. Masters thesis, USM.
institution Universiti Sains Malaysia
building Hamzah Sendut Library
collection Institutional Repository
continent Asia
country Malaysia
content_provider Universiti Sains Malaysia
content_source USM Institutional Repository
url_provider http://eprints.usm.my/
language English
topic Q Science (General)
spellingShingle Q Science (General)
Abdul Hamid, Noorhisyam
Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
description Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers
format Thesis
author Abdul Hamid, Noorhisyam
author_facet Abdul Hamid, Noorhisyam
author_sort Abdul Hamid, Noorhisyam
title Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_short Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_full Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_fullStr Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_full_unstemmed Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_sort pembentukan dan pencirian kobalt silisida atas wafer silikon (111) pada suhu substrat dan sepuh lindap yang berbeza-beza
publishDate 2005
url http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf
http://eprints.usm.my/29184/
_version_ 1643706841461424128
score 13.211869

Similar Items