Hot Carrier Studies on Heterostructure Silicon Germanium P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
This study examines the susceptibility of hot carrier effects on various Heterostructures Silicon Germanium P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (SiGe PMOSFET) such as Strained SiGe Channel and Strained SiGe Source/Drain PMOSFET. The results were compared with Si Channel PMOSF...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English English |
| منشور في: |
2004
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://psasir.upm.edu.my/id/eprint/528/1/549631_FK_2004_89.pdf http://psasir.upm.edu.my/id/eprint/528/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!