Modeling and simulation of InAs photodiode on electric field profile and dark current characteristics
This work reports the dark current density-voltage (J-V) characteristics and electric field profile of InAs photodiode with 100μm × 1μm cross sectional area at a temperature of 300K. The device structure was simulated using 2D SILVACO software and the model was used to determine all the optimum mate...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | وقائع المؤتمر |
| اللغة: | en_US |
| منشور في: |
2017
|
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|