Modeling, simulation and optimization of 14nm high-K/metal gate NMOS with taguchi method
Analysis of variance (ANOVA); Electron beam lithography; Metals; MOS devices; Oxide semiconductors; Taguchi methods; ATHENA; ATLAS; Electrical characteristic; Electronics technology; International Technology Roadmap for Semiconductors; MOS-FET; Simulation and optimization; Taguchi optimization metho...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Conference Paper |
| منشور في: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
2023
|
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|