SOI based nanowire single-electron transistors: design, simulation and process development
Link to publisher's homepage at http://www.unimap.edu.my/ ; Open access only applicable for vol. 1; issue 1, 2008.
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Uda Hashim, A. Rasmi, Samsudi Sakrani |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
Universiti Malaysia Perlis
2008
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my/xmlui/handle/123456789/2383 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Design of 100nm single-electron transistor (SET) by 2D TCAD simulation
بواسطة: Amiza, Rasmi, وآخرون
منشور في: (2009) -
Design and analysis of low power using Sleepy Stack and Zig-Zag technique
بواسطة: Wan Nurul Liyana Wan Zulkefle
منشور في: (2008) -
Coherent effect on LOCOS and STI technique for 0.18 µm CMOS technology using Taurus Workbench
بواسطة: Wan Shafie Wan Sulaiman
منشور في: (2008) -
Device Characterization of 0.8-µm CMOS Technology
بواسطة: Kooh, Roy Jinn Chye
منشور في: (2000) -
Electrical characterization of 0.15µm CMOS Transistor using TSUPREM-4 and MEDICI
بواسطة: Low Pooi Lam
منشور في: (2008)