صورة الغلاف

Coherent effect on LOCOS and STI technique for 0.18 µm CMOS technology using Taurus Workbench

LOCOS (Local Oxidation of Silicon) and STI (Shallow Trench Isolation) are two isolation techniques used in integrated circuit fabrication. Further device scaling using LOCOS technique is no longer practical for technology generations below 0.35 µm. STI technique was thus introduced because of its...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Wan Shafie Wan Sulaiman
مؤلفون آخرون: Ruslinda A. Rahim (Advisor)
التنسيق: Learning Object
اللغة:English
منشور في: Universiti Malaysia Perlis 2008
الموضوعات:
Integrated circuits > Very large scale integration
Local oxidation of silicon (LOCOS)
Shallow Trench Isolation (STI)
Transistors
CMOS transistors
Metal oxide semiconductors, Complementary
Integrated circuits
الوصول للمادة أونلاين:http://dspace.unimap.edu.my/xmlui/handle/123456789/1955
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الانترنت

http://dspace.unimap.edu.my/xmlui/handle/123456789/1955

مواد مشابهة