Growth of non-polar (11-20) a-plane GaN based leds grown on (1-120) r-plane sapphire substrate via MOCVD / Anas Kamarundzaman
Conventional gallium nitride (GaN)-based light-emitting diodes (LEDs), commonly grown in the c-plane direction suffer from the huge built-in electric field from spontaneous and piezoelectric polarisation, which cause the energy-band bending in the energy band diagram. Motivated to avoid the undesira...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| منشور في: |
2022
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/15197/2/Anas_Kamarundzaman.pdf http://studentsrepo.um.edu.my/15197/1/Anas_Kamarundzaman.pdf http://studentsrepo.um.edu.my/15197/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|