Effect of ammonia/gallium ratio and growth temperature towards the surface morphology of semi-polar GaN grown on m-plane sapphire via MOCVD
Effect of ammonia/gallium ratio and growth temperature towards the surface morphology of semi-polar GaN grown on m-plane sapphire via MOCVD by Al-Zuhairi Omar
保存先:
| 第一著者: | |
|---|---|
| フォーマット: | article |
| 言語: | English |
| 出版事項: |
Tanjong Malim
2021
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| オンライン･アクセス: | https://ir.upsi.edu.my/detailsg.php?det=8594 https://ir.upsi.edu.my/detailsg.php?det=8594 |
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