Disilane doping of semi-polar (11-22) n-GaN: The impact of terrace-like evolution toward the enhancement of the electrical properties
Semi-polar (11-22) n-type gallium nitride thin films with various disilane doping levels were deposited via metal-organic chemical vapor deposition. The impact of the dissimilar disilane doping levels on the crystal, morphological, strain, and electrical properties was extensively studied. An X-ray...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
Elsevier
2021
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.um.edu.my/27901/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|