Thermaly Stimulated Current (TSC) in porous silicon / Muhamad Shahril Zakaria
Charge trapping and detrapping within Porous Silicon (PSi) may easily occur due to numerous imperfections in its lattice. This is explained by the fact that heterogeneity at the interface between Si and PSi is the source of numerous discontinuities and imperfections in the Si crystals in addition to...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | Student Project |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2011
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/44528/1/44528.pdf https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/44528/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|