Carrier density and thickness optimization of inxGa1-xN layer by scaps-1D simulation for high efficiency III-V solar cell
In this study, the indium gallium nitride (InxGa1-xN) p-n junction solar cells were optimized to achieve the highest conversion efficiency. The InxGa1-xN p-n junction solar cells with the whole indium mole fraction (0 ≤ x ≤ 1) were simulated using SCAPS-1D software. Optimization of the p- and n-InxG...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
2022
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://journalarticle.ukm.my/19488/1/24.pdf http://journalarticle.ukm.my/19488/ https://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid51bil5_2022/KandunganJilid51Bil5_2022.html |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|