Mitigation of oxygen presence in AlN (100) & (002) growth using RF magnetron sputtering
Aluminium nitride (AlN) nucleation layer (NL) is a useful nitride semiconductor for the growth of Gallium Nitride (GaN) on silicon. Major issues related to the fabrication of AlN films are on its crystallographic orientations and high processing temperatures. In order to fabricate AlN NL at low temp...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English English English |
| منشور في: |
2022
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.uthm.edu.my/8399/1/24p%20ANIS%20SUHAILI%20BAKRI.pdf http://eprints.uthm.edu.my/8399/2/ANIS%20SUHAILI%20BAKRI%20COPYRIGHT%20DECLARATION.pdf http://eprints.uthm.edu.my/8399/3/ANIS%20SUHAILI%20BAKRI%20WATERMARK.pdf http://eprints.uthm.edu.my/8399/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!