Responsivity optimization of a MQW SOI-based lateral PIN photodiode using Taguchi's L27 orthogonal array
Silicon-on-insulator (SOI)-based lateral PIN photodiodes using SiGe/Si multilayer quantum wells (MQW) are suitable for applications in the near-infrared range both for sensing and optical fiber communication application. The objective of this paper is to optimize the process parameters for such a de...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Menon P.S., Tasirin S.K., Ahmad I., Abdullah S.F., Apte P.R. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | 57201289731 |
التنسيق: | Conference paper |
منشور في: |
2023
|
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
High performance of a SOI-based lateral PIN photodiode using SiGe/Si multilayer quantum well
بواسطة: Menon P.S., وآخرون
منشور في: (2023) -
Taguchi optimization of a SOI-based lateral PIN photodiode using SiGe/Si multilayer quantum well
بواسطة: Menon P.S., وآخرون
منشور في: (2023) -
Investigated optical studies of Si quantum dot
بواسطة: Y., Al-Douri, وآخرون
منشور في: (2011) -
Xenon flash lamp annealing of large area silicon photodetector
بواسطة: Raid, A. Ismail, وآخرون
منشور في: (2016) -
Optimization of process parameters for Si lateral PIN photodiode
بواسطة: Menon P.S., وآخرون
منشور في: (2023)