Study on diffusivity of Gallium dopant in Silicon using Spin On Dopant (SOD) technique
Diffusion and ion implantation are two major processes by which chemical species or dopant are introduced into a semiconductor such as silicon to form the electronic structure. The diffusion process is a method to control the thermal budget to expand performance device by combination of temperatur...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Learning Object |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Universiti Malaysia Perlis
2008
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my/xmlui/handle/123456789/1964 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!