Dual-band doherty power amplifier with improved reactance compensation
In brief, a dual-band doherty power amplifier employing reactance compensation with gallium nitride high-electron-mobility transistor technology is discussed. This design is developed for long-term evolution (LTE) frequency operation, particularly for the application of two-way radio to improve the...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
Institute of Advanced Engineering and Science
2021
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.um.edu.my/35586/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|