Post deposition annealing effect on properties of Y2O3/Al2O3 stacking gate dielectric on 4H-SiC
In this paper, the effect of post deposition annealing (PDA) on the chemical, structural, and electrical properties of the high-k Y 2 O 3 /Al 2 O 3 stacking dielectric on p-type 4H-SiC were studied. High-k dielectric provides a physically thicker film with equivalent capacitance, therefore better ex...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
Elsevier
2019
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.um.edu.my/22899/ https://doi.org/10.1016/j.matlet.2019.03.009 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!