Investigation of silicon nitride capping layer and embedded silicon germanium effect on 90 nm CMOS devices / Norlina Mohd Zain
This thesis highlights the effect of Si3N4 capping layer, embedded SiGe in the source/drain and SiGe layer on the bottom of the strained silicon for strained-silicon technology effect on 90 nm Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) performance focusing on threshold voltage and drain current...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2010
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/98593/1/98593.pdf https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/98593/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|