Effect of oxide type and thickness towards NMOS I-V characteristics / Farah Adibah Ali
Silicon dioxide (SiO2) is the gate component on N-type Metal Oxide Semiconductor (NMOS) which play a very important role in the transistor operation. Growing SiO2 on the wafer substrate can be done by two methods which are by dry and wet oxidation. These two methods have different characteristics. H...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | Student Project |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2010
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/45217/1/45217.pdf https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/45217/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|