Direct exchange interaction of localized spins associated with unpaired sp electrons in Be-doped low-temperature-grown GaAs layers
Beryllium-doped GaAs layers grown at low temperatures by molecular-beam epitaxy contain localized spins associated with unpaired sp electrons of As Ga + ions. Interactions of these localized spins are investigated by measuring the magnetization with a superconducting quantum interference device and...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
American Institute of Physics
2011
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://irep.iium.edu.my/29879/1/Direct_exchange_interaction_of_localized_spins_associated_with_unpaired_sp_electrons_in_Be-doped_lT-GaAs.pdf http://irep.iium.edu.my/29879/ http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v109/i7/p073918_s1 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!