Cover Image

Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N

Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis ters...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Mohd Zulhakimi Abdul Razak,, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee,, Muhamad Ramdzan Buyong,, Sawal Hamid Md Ali,, Teh, Chin Hoong, Jumadi Abdul Sukor,, Ahmad Ghadafi Ismail,
Format: Article
Language:English
Published: Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2019
Online Access:http://journalarticle.ukm.my/13723/1/18%20Mohd%20Zulhakimi%20Abdul%20Razak.pdf
http://journalarticle.ukm.my/13723/
http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid48bil6_2019/KandunganJilid48Bil6_2019.html
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id my-ukm.journal.13723
record_format eprints
spelling my-ukm.journal.137232019-11-29T09:07:46Z http://journalarticle.ukm.my/13723/ Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N Mohd Zulhakimi Abdul Razak, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, Muhamad Ramdzan Buyong, Sawal Hamid Md Ali, Teh, Chin Hoong Jumadi Abdul Sukor, Ahmad Ghadafi Ismail, Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis tersebut meningkat dengan peningkatan panjang rantai ekalapis pengumpulan kendiri pada dielektrik SiO2. Magnitud mobiliti setinggi 0.3 cm2/Vs dan nisbah arus buka/tutup lebih tinggi daripada 105 telah dicapai. Transistor tersebut adalah calon terbaik untuk menyaingi transistor organik filem nipis pentacene saluran-p untuk menghasilkan litar semikonduktor logam pelengkap teroksida organik (O-CMOS). Prestasi peranti ini tidak bergantung terhadap panjang rantaian alkil apabila diuji di dalam udara ambien. Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2019-06 Article PeerReviewed application/pdf en http://journalarticle.ukm.my/13723/1/18%20Mohd%20Zulhakimi%20Abdul%20Razak.pdf Mohd Zulhakimi Abdul Razak, and Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, and Muhamad Ramdzan Buyong, and Sawal Hamid Md Ali, and Teh, Chin Hoong and Jumadi Abdul Sukor, and Ahmad Ghadafi Ismail, (2019) Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N. Sains Malaysiana, 48 (6). pp. 1295-1300. ISSN 0126-6039 http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid48bil6_2019/KandunganJilid48Bil6_2019.html
institution Universiti Kebangsaan Malaysia
building Tun Sri Lanang Library
collection Institutional Repository
continent Asia
country Malaysia
content_provider Universiti Kebangsaan Malaysia
content_source UKM Journal Article Repository
url_provider http://journalarticle.ukm.my/
language English
description Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis tersebut meningkat dengan peningkatan panjang rantai ekalapis pengumpulan kendiri pada dielektrik SiO2. Magnitud mobiliti setinggi 0.3 cm2/Vs dan nisbah arus buka/tutup lebih tinggi daripada 105 telah dicapai. Transistor tersebut adalah calon terbaik untuk menyaingi transistor organik filem nipis pentacene saluran-p untuk menghasilkan litar semikonduktor logam pelengkap teroksida organik (O-CMOS). Prestasi peranti ini tidak bergantung terhadap panjang rantaian alkil apabila diuji di dalam udara ambien.
format Article
author Mohd Zulhakimi Abdul Razak,
Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee,
Muhamad Ramdzan Buyong,
Sawal Hamid Md Ali,
Teh, Chin Hoong
Jumadi Abdul Sukor,
Ahmad Ghadafi Ismail,
spellingShingle Mohd Zulhakimi Abdul Razak,
Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee,
Muhamad Ramdzan Buyong,
Sawal Hamid Md Ali,
Teh, Chin Hoong
Jumadi Abdul Sukor,
Ahmad Ghadafi Ismail,
Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
author_facet Mohd Zulhakimi Abdul Razak,
Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee,
Muhamad Ramdzan Buyong,
Sawal Hamid Md Ali,
Teh, Chin Hoong
Jumadi Abdul Sukor,
Ahmad Ghadafi Ismail,
author_sort Mohd Zulhakimi Abdul Razak,
title Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
title_short Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
title_full Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
title_fullStr Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
title_full_unstemmed Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
title_sort kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-n
publisher Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
publishDate 2019
url http://journalarticle.ukm.my/13723/1/18%20Mohd%20Zulhakimi%20Abdul%20Razak.pdf
http://journalarticle.ukm.my/13723/
http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid48bil6_2019/KandunganJilid48Bil6_2019.html
_version_ 1651868055601414144
score 13.211869

Similar Items