Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis ters...
Saved in:
| Main Authors: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
2019
|
| Online Access: | http://journalarticle.ukm.my/13723/1/18%20Mohd%20Zulhakimi%20Abdul%20Razak.pdf http://journalarticle.ukm.my/13723/ http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid48bil6_2019/KandunganJilid48Bil6_2019.html |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis tersebut meningkat dengan peningkatan panjang rantai ekalapis pengumpulan kendiri pada dielektrik SiO2. Magnitud mobiliti setinggi 0.3 cm2/Vs dan nisbah arus buka/tutup lebih tinggi daripada 105 telah dicapai. Transistor tersebut adalah calon terbaik untuk menyaingi transistor organik filem nipis pentacene saluran-p untuk menghasilkan litar semikonduktor logam pelengkap teroksida organik (O-CMOS). Prestasi peranti ini tidak bergantung terhadap panjang rantaian alkil apabila diuji di dalam udara ambien. |
|---|