Pencirian arus-voltan struktur terapit saput tipis logam/timah selenida/logam
Polihablur saput tipis timah selenida (SnSe) disediakan dengan kaedah penselenidan tertudung-tebat daripada bahan pukal Sn dan Se. Untuk pencirian arus-voltan (I-V) telah disediakan sampel dengan bentuk struktur terapit iaitu Al/SnSe/Al, In/SnSe/Al dan Pb/SnSe/Al pada substrat kaca corning. Pengukur...
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Persatuan Sains & Teknologi Keadaan Pepejal Malaysis
1997
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://eprints.utm.my/id/eprint/2656/1/pencirian_arus_voltan_struktur_terapit_sabut_tipis.pdf http://eprints.utm.my/id/eprint/2656/ |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | Polihablur saput tipis timah selenida (SnSe) disediakan dengan kaedah penselenidan tertudung-tebat daripada bahan pukal Sn dan Se. Untuk pencirian arus-voltan (I-V) telah disediakan sampel dengan bentuk struktur terapit iaitu Al/SnSe/Al, In/SnSe/Al dan Pb/SnSe/Al pada substrat kaca corning. Pengukuran I-V bagi struktur tersebut dilakukan pada suhu bilik di dalam bilik gelap dengan menggunakan sumber arus terus. Daripada ciri I-V diperolehi bahawa sentuhan ohmik berlaku di antara elektrod aluminium (Al) dan indium (In) dengan SnSe, manakala sentuhan dengan elektrod emas (Au) menghasilkan sentuhan tak ohmik dengan sawar keupayaannya dalam julat 0.33-0.37 eV. Struktur Pb/SnSe/Al pula menunjukkan ciri diod sawar Schottky dengan voltan runtuh -0.8 V dan voltan ambang 0.8 V. Sentuhan rektifikasi diantara elektrod Pb dan SnSe menghasilkan sawar keupayaan dalam julat 0.50-0.71 eV. |
|---|