Parameter variations of 20NM GAAS junctionless-gate-all-around field-effect transistor with quantum mechanical effects
The scaling down of nanoelectronic device dimension beyond the Moore’s Law era has introduced the use of new material and device architecture of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (MOSFET). The use of nanomaterial and advanced device architecture allows the mitigation of the short cha...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2021
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/102679/1/MuhammadFaidzalMohamadRasolMSKE2021.pdf.pdf http://eprints.utm.my/id/eprint/102679/ http://dms.library.utm.my:8080/vital/access/manager/Repository/vital:149310 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|