Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS
Objektif projek ini adalah melakukan rekabentuk dan simulasi sebuah transistor nMOS dengan saiz salur 0.13 11m. Dengan melaksanakan peraturan penskalaan, transistor nMOS 0.13 11m direkabentuk daripada resipi transistor CMOS 0.18 11m yang telah direkabentuk dan disimulasikan sebelum ini dengan...
Saved in:
Main Author: | Ahmad, Afandi |
---|---|
Format: | Thesis |
Language: | English |
Published: |
2003
|
Subjects: | |
Online Access: | http://eprints.uthm.edu.my/7600/1/24p%20AFANDI%20AHMAD.pdf http://eprints.uthm.edu.my/7600/ |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
-
Simulation, fabrication and characterization of NMOS transistor
by: Rifai, Damhuji
Published: (2006) -
EBB 323-3 - TEKNOLOGI FABRIKASI SEMIKONDUKTOR NOV 05.
by: PPKBSM, Pusat Pengajian Kejuruteraan Bahan dan Sumber Mineral
Published: (2005) -
EBB 323-3 TEKNOLOGI FABRIKASI SEMIKONDUKTOR OKT 04.
by: PPKBSM, Pusat Pengajian Kejuruteraan Bahan dan Sumber Mineral
Published: (2004) -
EBB 323-3 TEKNOLOGI FABRIKASI SEMIKONDUKTOR OKT-NOV 06.
by: PPKBSM, Pusat Pengajian Kejuruteraan Bahan dan Sumber Mineral
Published: (2006) -
Simulation, fabrication and characterization of NMOS transistor
by: Rifai, Damhuji
Published: (2006)