Band anti-crossing modelling on tailored ga1-xinxnyas1-y band gap energy based nitrogen fraction

This paper deals with a Band Anti-Crossing (BAC) modelling to investigate the tailoring of band gap energy of Ga1-xInxNyAs1-y alloy based on nitrogen fractions. Three different numerical methods have been adopted to estimate the extended state of conduction band (

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Abd Samad, Muhammad Izzuddin, Mohamad, Khairul Anuar, Nordin, Mohammad Syahmi, Nayan, Nafarizal, Alias, Afishah, Othman, Marinah, Boland-Thoms, Adrian, Vickers, Anthony John
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: Horizon Research Publishing Corporation 2019
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.uthm.edu.my/2183/1/AJ%202020%20%283%29.pdf
http://eprints.uthm.edu.my/2183/
http://10.13189/ujeee.2019.061612
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!