Growth And Characterizations Of Spin Coated Gallium Nitride Thin Films On Siliconsubstrates

Galium nitrida (GaN) dengan jurang jalur langsung 3.4 eV telah menjadi tumpuan penyelidikan bahan. Ini adalah disebabkan oleh ciri-ciri dan kepentingan teknologinya untuk digunakan dalam pelbagai aplikasi seperti peranti optoelektronik dan peranti elektronik berkuasa tinggi. Pelbagai kaedah tradisio...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Fong, Chee Yong
Format: Thesis
Language:English
Published: 2016
Subjects:
Online Access:http://eprints.usm.my/31959/1/FONG_CHEE_YONG_24%28NN%29.pdf
http://eprints.usm.my/31959/
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Be the first to leave a comment!
You must be logged in first