Optical Gain and Confinement in Gaas/Algaas Structure Quantum Well Lasers
Link to publisher's homepage at http://ijneam.unimap.edu.my/
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Hadjaj, F., Belghachi, A., Helmaoui, A. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | fatima_hadjaj_1979@yahoo.fr. |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
Universiti Malaysia Perlis (UniMAP)
2018
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/handle/123456789/51488 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
First-principles calculations to investigate optical properties of B yAl xIn 1-x-yN alloys for optoelectronic devices
بواسطة: Yarub, Al - Douri, وآخرون
منشور في: (2013) -
Study of intersubband transitions in Si1-xGex/Si quantum wells using 14-band k⋅p model
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2008) -
A comparative study of confined carrier concentration of laser using quantum well and quantum dot in active layer
بواسطة: Md. Abdullah, Al Humayun, وآخرون
منشور في: (2014) -
Scaling effects on the dynamic characteristics of long-wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)
بواسطة: Yap D.F.W., وآخرون
منشور في: (2023) -
Comparing long wavelength and short wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers
بواسطة: Yap D.F.W., وآخرون
منشور في: (2023)