Effect of lattice constant on band-gap energy and optimization and stabilization of high-temperature In xGa 1 -xN quantum-dot lasers
Link to publisher's homepage at http://link.springer.com/
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Humayun, M. A., Md Abdur Rashid, Dr., Mohd Fareq, Abd. Malek, Dr., A. N. Hussain |
---|---|
مؤلفون آخرون: | humayun0403063@gmail.com |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
Springer US
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my/xmlui/handle/123456789/26575 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Improvement of absorption characteristics of solar cell above room temperature using quantum dot
بواسطة: A. N., Alekhateeb, وآخرون
منشور في: (2014) -
A comparative study of confined carrier concentration of laser using quantum well and quantum dot in active layer
بواسطة: Md. Abdullah, Al Humayun, وآخرون
منشور في: (2014) -
Growth of GaN quantum dots using [(C2H5)4]Si by plasma assisted MOCVD
بواسطة: Arsyad, F. S., وآخرون
منشور في: (2009) -
XRD analyses of InxGa1-xN (0.20 x 0.80) ternary alloys
بواسطة: Yushamdan, Yusof, وآخرون
منشور في: (2010) -
Further optical properties of CdX (X¼ S, Te) compounds under quantum dot diameter effect: Ab initio method
بواسطة: Yarub, Al - Douri, وآخرون
منشور في: (2013)