Device characterization based on stressor, geometric and process design considerations of fet technology / Nurul Aida Farhana Othman
The downscaling of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device has been tremendously feasible in the past couple of decades. This action has led to a constant escalation of devices count in a dense integrated circuit, hence an outstanding application of Moore’s law to the industry especial...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| منشور في: |
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://studentsrepo.um.edu.my/9990/1/Nurul_Aida_Farhana_Binti_Othman.jpg http://studentsrepo.um.edu.my/9990/8/aida.pdf http://studentsrepo.um.edu.my/9990/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
