Electronics and magnetic properties of p-block elements doped 2D buckled gallium nitride MGaN (M = Al, Si, P and S): A first-principles study
Ab initio calculations within the density-functional theory (DFT) are carried out to investigate the electronics and magnetic properties of the p-block elements doped two-dimensional GaN (2D GaN). We have selected Al, Si, P and S dopants as the representative for Group III, IV, V and VI elements, re...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Conference or Workshop Item |
| منشور في: |
2021
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.um.edu.my/35425/ |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|