Structural, chemical, and electrical properties of ZrO2/Ge system formed via oxidation/nitridation in N2O gas ambient
The effects of oxidation/nitridation for 15 min at different temperatures (300–800 °C) on metal–oxide–semiconductor characteristics of sputtered Zr thin film based on Ge substrate in N2O ambient have been systematically investigated. The crystallinity of the film were evaluated by X-ray diffraction...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
Springer
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.um.edu.my/21491/ https://doi.org/10.1007/s10854-018-9408-2 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!