Effect of lattice potential upon the surface diffusion of Si on Si(100)
The surfacediffusion of Si atoms on Si(100) is examined using three different lattice potentials suggested by Keating, by Weber, and by Baraff e t a l. Jump frequencies of Si atoms between adjacent adsorbtion sites are computed on each potential surface at 800, 1000, 1200, and 1500 K using classic...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ibrahim Ali , Noorbatcha, L.M, Raff, D.L, Thompson |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
American Institute of Physics (AIP)
1985
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://irep.iium.edu.my/35142/1/JCP1985_Si%28100%29.pdf http://irep.iium.edu.my/35142/ http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jcp/83/11/10.1063/1.449635 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Classical trajectory study of adsorption and surface diffusion of Si on Si(100)
بواسطة: Ibrahim Ali , Noorbatcha, وآخرون
منشور في: (1984) -
The dynamics of dissociative chemisorption of H2 on a Si(111) surface
بواسطة: Ibrahim Ali , Noorbatcha, وآخرون
منشور في: (1987) -
A phenomenological approach to the calculation of the diffusion coefficient for Si on Si(111) using classical trajectories
بواسطة: Ibrahim Ali , Noorbatcha, وآخرون
منشور في: (1985) -
Dynamics of unimolecular dissociation of silylene
بواسطة: Ibrahim Ali , Noorbatcha, وآخرون
منشور في: (1986) -
Monte Carlo variational transition‐state theory study of recombination and desorption of hydrogen on Si(111)
بواسطة: Ibrahim Ali , Noorbatcha
منشور في: (1986)