Effect of lattice potential upon the surface diffusion of Si on Si(100)

The surfacediffusion of Si atoms on Si(100) is examined using three different lattice potentials suggested by Keating, by Weber, and by Baraff e t a l. Jump frequencies of Si atoms between adjacent adsorbtion sites are computed on each potential surface at 800, 1000, 1200, and 1500 K using classic...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ibrahim Ali , Noorbatcha, L.M, Raff, D.L, Thompson
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: American Institute of Physics (AIP) 1985
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://irep.iium.edu.my/35142/1/JCP1985_Si%28100%29.pdf
http://irep.iium.edu.my/35142/
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jcp/83/11/10.1063/1.449635
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة