Cover Image

Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung

Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah did...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Mohd Ambri Mohamed,, Farah Dzilhani Zulkefli,, Burhanuddin Yeop Majlis,
Format: Article
Language:English
Published: Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2017
Online Access:http://journalarticle.ukm.my/11132/1/17%20Mohd%20Ambri%20Mohajed.pdf
http://journalarticle.ukm.my/11132/
http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid46bil7_2017/KandunganJilid46Bil7_2017.html
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id my-ukm.journal.11132
record_format eprints
spelling my-ukm.journal.111322017-12-21T04:32:57Z http://journalarticle.ukm.my/11132/ Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung Mohd Ambri Mohamed, Farah Dzilhani Zulkefli, Burhanuddin Yeop Majlis, Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah didapati bahawa ketinggian halangan Schottky yang wujud antara sentuhan elektrod dan CNT, boleh termodulat oleh aplikasi berkesan daripada voltan pincang (VDS) dan voltan get (VGS). Aplikasi voltan pincang sahaja tidak mudah untuk merendahkan ketinggian halangan Schottky dan ketebalan halangan Shottky, tetapi ia berkait rapat dengan aplikasi voltan get. Bagi konfigurasi peranti dalam kajian ini, keberkesanan medan boleh dikaitkan dengan VGS:VDS = 10:-1. Peningkatan arus didapati disebabkan oleh pengurangan tenaga pengaktifan. Kaitan yang jelas antara kesan voltan pincang, voltan get dan tenaga pengaktifan telah diperhati dalam kajian ini. Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2017-07 Article PeerReviewed application/pdf en http://journalarticle.ukm.my/11132/1/17%20Mohd%20Ambri%20Mohajed.pdf Mohd Ambri Mohamed, and Farah Dzilhani Zulkefli, and Burhanuddin Yeop Majlis, (2017) Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung. Sains Malaysiana, 46 (7). pp. 1141-1145. ISSN 0126-6039 http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid46bil7_2017/KandunganJilid46Bil7_2017.html
institution Universiti Kebangsaan Malaysia
building Perpustakaan Tun Sri Lanang Library
collection Institutional Repository
continent Asia
country Malaysia
content_provider Universiti Kebangsaan Malaysia
content_source UKM Journal Article Repository
url_provider http://journalarticle.ukm.my/
language English
description Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah didapati bahawa ketinggian halangan Schottky yang wujud antara sentuhan elektrod dan CNT, boleh termodulat oleh aplikasi berkesan daripada voltan pincang (VDS) dan voltan get (VGS). Aplikasi voltan pincang sahaja tidak mudah untuk merendahkan ketinggian halangan Schottky dan ketebalan halangan Shottky, tetapi ia berkait rapat dengan aplikasi voltan get. Bagi konfigurasi peranti dalam kajian ini, keberkesanan medan boleh dikaitkan dengan VGS:VDS = 10:-1. Peningkatan arus didapati disebabkan oleh pengurangan tenaga pengaktifan. Kaitan yang jelas antara kesan voltan pincang, voltan get dan tenaga pengaktifan telah diperhati dalam kajian ini.
format Article
author Mohd Ambri Mohamed,
Farah Dzilhani Zulkefli,
Burhanuddin Yeop Majlis,
spellingShingle Mohd Ambri Mohamed,
Farah Dzilhani Zulkefli,
Burhanuddin Yeop Majlis,
Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
author_facet Mohd Ambri Mohamed,
Farah Dzilhani Zulkefli,
Burhanuddin Yeop Majlis,
author_sort Mohd Ambri Mohamed,
title Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
title_short Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
title_full Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
title_fullStr Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
title_full_unstemmed Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
title_sort pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung
publisher Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
publishDate 2017
url http://journalarticle.ukm.my/11132/1/17%20Mohd%20Ambri%20Mohajed.pdf
http://journalarticle.ukm.my/11132/
http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid46bil7_2017/KandunganJilid46Bil7_2017.html
_version_ 1643738381096583168
score 13.211869

Similar Items