Si-quantum Dots (QD) and SiO2 tunnel barriers
Oxidation of Si for nanostructures on silicon-on-insulator (SOI) substrates is a key process in the fabrication of Si single electron transistor (SET). The most di cult aspect of the fabrication process is the formation of a nanometerscale island sandwiched between two small capacitors having a...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Universiti Malaysia Perlis (UniMAP)
2010
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my/xmlui/handle/123456789/9934 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|