Si-quantum Dots (QD) and SiO2 tunnel barriers
Oxidation of Si for nanostructures on silicon-on-insulator (SOI) substrates is a key process in the fabrication of Si single electron transistor (SET). The most di cult aspect of the fabrication process is the formation of a nanometerscale island sandwiched between two small capacitors having a...
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| 主要な著者: | , , |
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| その他の著者: | |
| フォーマット: | 論文 |
| 言語: | English |
| 出版事項: |
Universiti Malaysia Perlis (UniMAP)
2010
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | http://dspace.unimap.edu.my/xmlui/handle/123456789/9934 |
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