UTBB SOI MOSFETs analog figures of merit: Effects of ground plane and asymmetric double-gate regime
Link to publisher's homepage at http://www.elsevier.com/
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Mohd Khairuddin, Md. Arshad, Makovejev, Sergej, Olsen, Sarah H., Andrieu, F., Raskin, Jean Pierre, Flandre, Denis, Kilchytska, Valeriya I. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | mohd.khairuddin@unimap.edu.my |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
Elsevier Ltd.
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/dspace/handle/123456789/34409 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Impact of self-heating and substrate effects on small-signal output conductance in UTBB SOI MOSFETs
بواسطة: Makovejev, Sergej, وآخرون
منشور في: (2013) -
Extended MASTAR modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
بواسطة: Mohd Khairuddin, Md Arshad, Dr., وآخرون
منشور في: (2013) -
Virtual fabrication of 14nm gate length n-Type double gate MOSFET
بواسطة: Afifah Maheran A. H, وآخرون
منشور في: (2023) -
Pemohon perlu penuhi syarat program pengajian, merit
بواسطة: Mohd Khairul Anam, Md Khairudin
منشور في: (2020) -
RF behavior of undoped channel ultra-thin body with ultra-thin BOX MOSFETs
بواسطة: Mohd Khairuddin, Md Arshad, Dr., وآخرون
منشور في: (2013)